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Si1021R
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
1000
V GS = 0 V
10
100
8
I D = 500 mA
T J = 125 °C
6
4
10
1
T J = 25 °C
T J = - 55 °C
2
0
I D = 200 mA
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
0.5
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
3
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.4
I D = 250 μ A
2.5
0.3
2
0.2
0.1
- 0.0
1.5
- 0.1
- 0.2
- 0.3
1
0.5
0
T A = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Threshold Voltage Variance Over Temperature
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
t 2
0.01
0.02
Single P u lse
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 500 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71410 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71410
S10-2687-Rev. F, 22-Nov-10
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